Punktveida defektu identifikācija un modifikācija Si-SiO2 sistēmā un to ietekme uz robežvirsmas īpašībām

Projekta mērķis ir izpētīt lādiņu veidošanos Si-SiO2 sistēmā un to samazināšanos, atbilstošu oksidācijas apstākļu izvēles rezultātā, izmantojot EPR, IS absorbcijas spektroskopiju, CV raksturlīknes un skenējošo elektronu mikroskopiju (SEM).

1. Rīgas Tehniskā universitāte, Paula Valdena iela 3/7, LV-1048, Rīga, Latvija.

Si-SiO₂ robežvirsmas modificēšana ar lāzera starojumu.

2. Tartu Universitāte, Ülikooli 18, 50090 TARTU ESTONIA

Si-SiO₂ robežvirsmas pētījumi, izmantojot dažādas metodes (piemēram, EPR, SEM, CV, IS absorbcijas spektroskopija).

3. Jūlihas pētniecības centrs, Peter Grünberg institūts,

Iegūto rezultātu lietojuma izpēte nanobiotehnoloģiju attīstības jomā.

Projekta tiešā mērķa grupa izplatīja projektā iegūtos  rezultātus, prezentējot tos Jīlihes Pētniecības centrā zinātniskajā seminārā, kā arī iesniedza publicēšanai rakstu zinātniskajā žurnālā, kas tiks citēts SpringerLink, SCOPUS, DBLP vai Thomson Reuters (ISI WEB of Science) datu bāzēs. Tiešajā mērķa grupā iesaistīti 5 zinātnieki.

Netiešā mērķa grupa ieguva informāciju par sasniegtajiem zinātniskajiem rezultātiem, piedaloties seminārā, kā arī no publicētajā zinātniskajā rakstā, iepriekš minētajās datu bāzēs. Tādējādi tika nodrošināta netiešās mērķa grupas pieeja paveiktajiem rezultātiem. Iegūtie rezultāti tiks izmantoti apmācību procesā kā papildinājums jaunākajiem sasniegumiem zinātnē, kā arī jaunu virzienu attīstīšanai ražošanā. Netiešajā grupā iesaistīto cilvēku skaits: 50.

Zinātniskais seminārs Jīlihes Pētniecības centrā 2019.gada 4.novembrī.