Erkennung und Modifizierung von Punktdefekten im Si-SiO2-System und dessen Einfluss auf die Grenzflächeneigenschaften

Das geplante Ziel wurde erreicht. Das Hauptziel war es, die Ladungsbildung an der Si-SiO2-Grenzfläche durch Auswahl optimierter Parameter für den Oxidationsprozess sowie die Abscheidung einer zusätzlichen Schicht über der SiO2-Schicht zu reduzieren.

Unsere Ergebnisse der Untersuchung mehrerer Proben, die mit Elektronen paramagnetische Resonanz, C-V Charakterisierung und Messungen von REM-Bilder erhalten wurden, zeigen reduziert Ladung und Dehnung an der an der Si-SiO2-Grenzfläche.

1. Technische Universität Riga, 3/7 Paula Valdena Str., LV-1048, Riga, Lettland: Probenvorbereitung und ihre Modifikation durch Laserbestrahlung.
2. Estland, Universität Tartu: Untersuchung der Si-SiO2—Grenzfläche von mehrerer Proben mit verschiedenen Methoden (EPR, SEM, C-V, IR-Absorptionsspektroskopie)
3. Deutschland, Forschungszentrum Julich: Die Studie über die Möglichkeiten, die erzielten Ergebnisse in der Entwicklung der Nanobiotechnologie umzusetzen.

Direkt: 5

Indirekt: 50

Seminar im Forschungszentrum Jülich am 4 November 2019.